“零”的突破！填补国内空白，摆脱进口依赖

位于徐州经开区的天通凯巨科技有限公司（简称“天通凯巨”）自主开发的8英寸掺铁钽酸锂晶体成功产出，有效填补了大尺寸压电材料领域应用空白，为更大规模的国产光电集成芯片和移动终端射频滤波器芯片的发展奠定了核心材料基础。这也是天通凯巨继6英寸钽酸锂晶体实现稳定量产后的又一突破。

8英寸掺铁钽酸锂晶体

“色如琥珀，是因为掺了铁。”当天，在天通凯巨实验室，研发部经理沈浩向记者展示了刚刚生产出的8英寸掺铁钽酸锂晶体，而未掺铁的钽酸锂晶体，呈偏微黄的透明色。

据介绍，钽酸锂在声表面波器件、高频通信、存储以及传感等多个高科技领域具有广泛应用前景，用掺铁钽酸锂晶体制作的芯片，存储性能更强，应用更广泛。而在此基础上实现的尺寸突破，更具重要意义。

“从4英寸到6英寸，从6英寸到8英寸，尺寸越大，难度翻番。”对于这款刚下线的“宝贝”，沈浩难掩自豪。他表示，从原料粉末到晶体，长晶的过程最关键，也最容易失败，失败则意味着晶体破碎，而晶体尺寸越大越容易碎。目前，国产钽酸锂晶体市场占有率不到10%，且主要规格为6英寸。

8英寸为何如此关键？

天通凯巨研发工程师钱煜告诉记者，目前，在集成电路行业，各类晶圆的通用规格为8英寸，作为产业链的关键材料之一，8英寸掺铁钽酸锂晶体的成功下线，不仅填补了国内空白，也让后续晶圆合成、封装、切割等环节一体化衔接，摆脱进口依赖。此外，从生产效能看，晶体越大，切成的晶圆也大，单片晶圆可加工的芯片总量也越多。

去年5月，天通凯巨另一款压电晶体材料——6英寸铌酸锂晶体量产，突破了多个“卡脖子”技术，实现了国产替代。铌酸锂被称为光电子时代的“光学硅”，广泛应用于全息存储、光量子通信等领域，而大尺寸铌酸锂晶片国产率不足5%。

经过一年多技术提升，天通凯巨现已掌握了8英寸铌酸锂晶体制备关键核心技术。加之此次8英寸掺铁钽酸锂晶体的成功下线，天通凯巨在大尺寸压电晶体材料方面接连实现突破，进一步提升了我国在该领域关键材料的自主可控能力。

天通凯巨是徐州招引的省级重大产业项目，全面量产后，可年产大尺寸钽酸锂、铌酸锂晶片420万片，届时，徐州集成电路与ICT产业在材料端的优势将更加明显。

记者：季芳 周杰

编辑：哈晓蕊